В данной работе изучается поверхностный состав и атомное распределение системы Si-Cu(lOO) после имплантации ионами Ог+. Впервые было проанализировано распределение атомов по поверхности и в приповерхностном слое системы Si/Cu(100) после ионной имплантации. Результаты показывают, что путем имплантации чистого Si/Cu ионами O2+ и применения тепла можно получить нанопленку SiCh толщиной приблизительно 1,5-2 нм.