Современные проблемы интеллектуальных систем. Республиканская научно-практическая конференция. Джизак, 18-19 апреля 2025 г.
198
2.Nasr, M.A., Abd-Elnaby, M., El-Fishawy, A.S., El-Rabaie, S. & El-Samie, A. (2021)
Speaker Identification Based on Normalized Pitch Frequency and Mel Frequency Cepstral
Coefficients,
International Journal of Speech Technology,
21, pp. 941–951.
3.Singh, M.K., Singh, A.K. & Singh, N. (2021) Multimedia Analysis for Disguised Voice
and Classification Efficiency,
Multimedia Tools and Applications,
78(20), pp. 29395–29411.
4.Ganchev, T., Fakotakis, N. & Kokkinakis, G. (2022) Comparative Evaluation of Various
MFCC Implementations on the Speaker Verification Task,
10th International Conference on
Speech and Computer (SPECOM 2022),
Vol. 1, pp. 191–194.
5.Yuan, Y., Zhao, P. & Zhou, Q. (2020) Research of Speaker Recognition Based on
Combination of LPCC and MFCC,
International Conference on Intelligent Computing and
Intelligent
Systems,
pp.
1147–1149.
Available
at:
6.Han, K., Yu, D., Tao, R. & Deng, L. (2023) Deep Neural Network Based Speaker
Recognition,
IEEE Transactions on Audio, Speech, and Language Processing, 22(
12), pp. 1709–
1721.
7.Reynolds, D.A. & Rose, R.C. (2022) Robust Text-Independent Speaker Identification
Using Gaussian Mixture Speaker Models,
IEEE Transactions on Speech and Audio Processing,
3(1), pp. 72–83.
SI/Cu PLENKA SIRTIGA O
2
+
IONLARI BILAN IMPLANTATSIYA
QILINGANDA NANOO‘LCHAMLI PLYONKASINING HOSIL BO‘LISHI
Rabbimov E.A.
Jizzax politexnika instituti dotsenti
Saitqulova R.X.
Jizzax politexnika instituti тalabasi
Anotatsiya:
O
2
+
ionlari bilan implantatsiya qilingandan keyingi Si-Cu(100) sirt yuzasi va
sirt qismi tarkibining va tarkibidagi atomlar taqsimlanishi tekshirilgan. Bu ishda Si/Cu(100)
tizimini O
2
+
ionlari bilan ionli implantatsiya qilish natijasida sirt yuza bo‘ylab va sirt yuza qatlami
tarkibidagi atomlarning taqsimlanishini tekshirish ishi birinchi marta o‘tkazilmoqda. Toza Si/Cu
tizimini O
2
+
iolari bilan implantatsiya qilish va qizdirish yo‘li bilan d ~1,5-2 nm qalinlikdagi SiO
2
nanoplyonkasini olish imkonini berar ekan.
Kalit so‘zlar:
ionli implantatsiya, nanoplenka, epitaksial plyonka, getroepitaksial tizim,
foton, miqdor,elektron, plenka, turg‘un bo‘lmagan sirtyuza ionlanishi, modulyatsiya usuli,
kuchlanishning modulyatsiya usuli.
ОБРАЗОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЙ ПЛЕНКИ Si/Cu ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ
НА ПОВЕРХНОСТЬ ПЛЕНКИ ИОНОВ O2+
Аннотация:
В данной работе изучается поверхностный состав и атомное
распределение системы Si-Cu(100) после имплантации ионами O₂⁺. Впервые было
проанализировано распределение атомов по поверхности и в приповерхностном слое
системы Si/Cu(100) после ионной имплантации. Результаты показывают, что путем
имплантации чистого Si/Cu ионами O₂⁺ и применения тепла можно получить нанопленку
SiO₂ толщиной приблизительно 1,5–2 нм.
Современные проблемы интеллектуальных систем. Республиканская научно-практическая конференция. Джизак, 18-19 апреля 2025 г.
199
Ключевые слова:
ионная имплантация, нанопленки, эпитаксиальных пленок,
гетероэпитаксиальных систем, фотон, концентрация, electron, plenka. нестационарная
поверхностная ионизация, метод модуляция, метод модуляция напряжения.
FORMATION OF A NANOSCALE Si/Cu FILM UPON IMPLANTATION OF O2+
IONS ONTO THE FILM SURFACE
Abstract:
This study examines the surface composition and atomic distribution of the Si-
Cu(100) system after implantation with O₂⁺ ions. For the first time, the distribution of atoms across
the surface and within the surface layer of the Si/Cu(100) system has been analyzed following ion
implantation. The findings demonstrate that by implanting pure Si/Cu with O₂⁺ ions and applying
heat, it is possible to obtain a SiO₂ nanofilm with a thickness of approximately 1.5–2 nm.
Key words:
ion implantation, nanofilms, epitaxial films, heteroepitaxial systems, photon,
concentration, electron,films, nonstationary surface ionization, modulation, voltage modulation.
Kirish.
Nanoo‘lchamli materiallardan foydalanib zamonaviy elektron asboblar uchun turli
getrotuzilmalar yaratish uchun sirt yuzada hamda materiallarning tarkibi buyicha aralashmali
atomlar miqdorining taqsimlanishi to‘g‘risida to‘liq-mukammal ma’lumot olish talab
etiladi.Shuning uchun hozirgi vaqtda keng ko‘lamda nanoplyokalar hamda silitsid metallarning
nanokristallari va boshqa yarim o‘tkazgichli birikmalar o‘rganilmoqda.Si sirtida yuqori vakuum
sharoitida turli usullar bilan hosil qilingan,shu bilan birga mikro va nanoelektronikaning
zamonaviy elektron qurilmalarini yaratish imkonini beradigan Si-Me-Si-Me ko‘p qatlamli
tuzilmalari o‘rganilmoqda[1-5]. Ionli implantatsiya usuli bilan yarim o‘tkazgich va dielektriklar
sirt yuzasida va sirt qatlamida hosil qilingan nanoo‘lchamli tuzilmalar elektron
xususiyatlari,tarkibi va marfologiyasi yaxshi o‘rganilgan[6-8].O
2
+
ionlari bilan implantatsiya
qilingandan keyingi Si-Cu(100) sirt yuzasi va sirt qismi tarkibining va tarkibidagi atomlar
taqsimlanishi tekshirilgan[9].Ionlar kiritilgan namunani qizdirilgandan keyingi qalinligi d=5,0-6,0
nm,SoSi plyonkasi hosil qilingan.Ionli implantatsiyadan keyin Cu ning Si kirib borishi ~2 marta
oshganligi kuzatilgan.Bu ishda Si/Cu(100) tizimini O
2
+
ionlari bilan ionli implantatsiya qilish
natijasida sirt yuza bo‘ylab va sirt yuza qatlami tarkibidagi atomlarning taqsimlanishini tekshirish
ishi birinchi marta o‘tkazilmoqda.
Tadqiqotni o‘tkazish usuli
. Tekshirilayotgan uch qatlamli plyonkasi Si-Cu ikkita alohida
O‘YuV (o‘ta yuqori vakuum) qurilmasida haroratli bug‘latish yo‘li bilan olingan[10].Birinchi
qurilmada (T=450K) haroratda qizdirilgan NaCl(100) monokristall sirtiga 10
-5
Pa past bo‘lmagan
vakuum sharoitida qalinligi d-40 nm bo‘lgan Cu plyonkasi hosil qilingan.Keyin Cu plyonkasi
NaCl kristall tuzidan distilangan suvga tushirish yo‘li bilan ajratilgan.Bu holda ajralgan erkin
plyonka suv yuzasida qoladi. Olingan plyonka boshqa o‘ta yuqori vakuumli kameraga
joylashtirilib, Cu toza sirt yuzasiga Si atomlari talab qilingan qalinlikda (10dan 50 nm)
bug‘lanuvchi elektronlar bilan urish yo‘li bilan o‘tqaziladi.
Bu namuna universal (O‘YuV) qurilmasiga o‘rnatiladi.Ionlar implantatsiyasi,qizdirish va
barcha tekshiruvlar 10
-6
Pa dan kam bo‘lmagan vakuumli ushbu qulilmada bajarildi. Namunaning
sirt qatlam tarkibi va tuzilishi elektron oje-spektroskopiyasi (EOS) va kichik energiyali elektronlar
difraksiyasi (KEED) usullari orqali tekshirildi. SiO
2
amorf holatda.Energetik zonalar parametrlari
fotoelektronlar (FES) spektri bo‘yicha baholandi.Atomlarning tarkibiy taqsimlanishi namunani E
0
=2keV bo‘lgan energiya bilan va sirt tekisligiga nisbatan 5-10
0
burchak ostida argon ionlari bilan
qatlam-qatlam tozalash yo‘li bilan elektron oje-spektrometri usuli bilan tekshirildi.
Tadqiqot natijalari va ularning tahlili
. Ionli implantatsiyadan oldin Si/Cu namunasi o‘ta
yuqori (O‘YuV) P≤10
-5
Pa sharoitida 2-3h vaqt davomida T=700-750 K haroratda qizdirildi.EOS
Современные проблемы интеллектуальных систем. Республиканская научно-практическая конференция. Джизак, 18-19 апреля 2025 г.
200
natijalariga ko‘ra Si sirtini qizdirgandan keyin kislorod atomlari ~ 4-5 at.%,uglerod atomlari esa
~2at.% ni tashkil etadi.Shundan keyin Si/Cu tizimining chegarasida qalinligi d=8-10nm bo‘lgan
silitsid Cu
2
Si
3
o‘tuvchi qatlam hosil bo‘lmoqda [9].Bu ishda asosiy tekshiruv Si/Cu
2
Si
3
/Cu tizimi
uchun o‘tkazildi,bu yerda dsi=40nm,d
CU
2Si
3
~ 10nm,dcu ~ 40nmga teng.Namuna energiyasi Eo=1
keV va D ~ 6*10
16
sm
-2
bo‘lgan O
2+
ionlari bilan implantatsiya qilindi.
1.O
2+
ionlari bilan implantatsiya qilingan va qizdirish jarayonida kremniyning L2,3VVoje-
piki: 1- Si; 2-energiyasi E
0
=1keV va ionlar dozasi D=6*1016 sm
_2
bo‘lgan O
2+
kislorod ionlari
bilan implantatsiya qilingandan keyingi Oje spektri; 3- T = 700 K da qizdirilgandan keyingi
spektri.
1-rasmda L2,3 VV kremniyning (E=91ev) O
2
+
ionlari bilan implantatsiya va qizdirishdan
keyingi Oje-cho‘qqisining forma va holatining o‘zgarishi ko‘rsatilgan.Ko‘rinib turibdiki ionli
implantatsiyadan keyin Si intensivligining cho‘qqisi ~ 2- 2,5 marta kamayib,76,82,86 eVda
ctexiometrik oksidlanish xarakteridagi yangi cho‘qqilar hosil bo‘lmoqda. OES spektrini to‘liq
analiz qilish natijasi shuni kursatdiki,sirt qatlamda oksidlanish tipidagi Si
2
O hamda urib
chiqarilgan Si va O atomlarining cho‘qqilari paydo bo‘ldi.Si ning umumiy miqdori ~45-50 at.%,
O miqdori~55 at.% ni tashkil qilmoqda.T=700 K haroratda qizdirilgandan so‘ng,76 eV energiyada
SiO
2
uchun xarakterli bo‘lgan cho‘qqi keskin oshib, qolgan cho‘qqilar minumimgacha
kamaydi.Hisblashlar shuni kursatdiki,shundan keyin sirt qismdagi SiO
2
miqdori ~ 90-92 at.%, Si
esa ~ 5-6 at.% ni,stexiometrik bo‘lmagan oksidlanish esa ~ 5-7 at.% ni tashkil etadi.Qalin plyonka
holatida haroratni 80-90 K ga oshirilganda SiO
2
bir jinsli plyonkani olish mumkin ekan. 2-rasmda
nanoplyonka Si-Cu tizimida O, Si va Su atomlarining d chuqurlik bo‘yicha taqsimlanish profili
ko‘rsatilgan.Ko‘rinib turibdiki ionli implantatsiyadan keyin kremniy miqdori d ~ 2,3-3nm
qalinlikda ~ 45-50 at.% ni,kislorod miqdori esa ~50 – 60 at.% ni tashkil etmoqda.d=2,5-10 nm
oraliqda Ssi miqdori 80-90at.% gacha ortadi,kislorod miqdori esa S
o
esa ~35-40at.%
kamaymoqda.Chuqurlikning ortishi bilan S
SI
(d) bog‘liklik d=15-20 nm da maksimumdan o‘tadi,a
kislorod miqdori SO amalda nulgacha kamayadi. D= 20-40 nm oraliqda kremniy miqdori S
SI
25-
30 at.% gacha,bu shuni bilan asoslanadiki bu qatlamda Cu atomlari Su
2
Si/Cu tizimidan Si
plenkasidagi Su bilan diffuziyaga kirishadi[6]. Si/Cu
2
Si
3
bo‘lim chegarasida bir qancha kislorod
miqdori paydo bo‘ladi. Su
2
Si
2
plyonkasida Si miqdori ~55-60 at.%ni, Cu plyonkasida Si miqdori
keskin kamayib boradi va d=60-65 nm da ~2-3 at.% ni tashkil etadi.
Современные проблемы интеллектуальных систем. Республиканская научно-практическая конференция. Джизак, 18-19 апреля 2025 г.
201
2-rasm.Erkin plyonka tizimidagi Si/ Cu ni energiyasi Yeo=1keV va ionlar dozasi D=6*10
16
sm
-2
bo‘lgan O
2
+
kislorod ionlari bilan implantatsiya qilingandan keyingi Si,Cu, va O atomlarining
taqsimlanish profili:1- Si, 2-O; 3-S.
Bu tizimni T=700-750 K qizdirib borilganda Si plyonkasi sirtida d ~1,5-2 nm qalinlikdagi
SiO
2
hosil bo‘lishiga olib keladi va o‘z navbatida to‘rt qatlamli SiO
2
/Si/Cu
2
Si
3
/Cu nanoplyonka
tizimi hosil bo‘ladi.
Xulosa.
Toza Si/Cu tizimini O
2
+
iolari bilan implantatsiya qilish va qizdirish yo‘li bilan d
~1,5-2 nm qalinlikdagi SiO
2
nanoplyonkasini olish imkonini berar ekan.Shundan keyin SiO
2
da
yetarli darajada Si(5-6 at.%)ning bog‘lanmagan atomlari vujudga kelib, bular SiO
2
dagi
taqiqlangan zona kengligini Eg ikki va undan ortiq barobar kamaytirar ekan.
Adabiyotlar ro‘yxati
1.
Landry O.,Bougerol
C.,Renevier H.,Daudin
B.//Nanotechnology.2009.Vol.20
N27.P/415602.
2. Wang D.,Zou Z.Q.// Nanotechnology.2009.Vol.20.N.27.P.275607.
3.
Domoshevskaya
E.P.Trexov
V.A.Turishev
S.Yu.va
boshqalar.Arrathurai
N.//FTT.2013.T.55.N
4. Muradkabilov D. M., Tashmuhammedova D.A., Umirzakov B.Y. Rabbimov E.A
//Poverxnost. Rentgen., sinxronotron. I neytron. Issledovaniya. 2013. № 10. S. 58-62. [
Muradkabilov D.M., Tashmukhamedova D.A., Umirzakov B.E. // J. Surf. Investigation: X-ray,
Synchotron and Neutron techniq. 2013. Vol.7. N. 5. September, P. 967-971.]
5. Umirzakov B.Y., Tashmuhammedova D.A., Ruzibaeva M.K., Tashatov A,K., Donaev
S.B., Mavliyanov B.B. // JTF. 2013. T. 83. Vыp. 9. S. 146-149. T [ Umirzakov B.E.
Tashmukhamedova D.A., Ruziboyeeva M.K., Tashatov A.K., Donaev S.B., Mavlyanov B.B //
techniq. Physics. 2013. Vol. 58. N. 9. P. 1383-1386
6. Sharopov U.B., Atabaev B.G., Djabbarganov R., Kurbanov M.K., // Poverxnost. Rentgen.,
sinxronotron. I neytron. Issledovaniya. 2016. № 2. S. 1-5.
НУТҚНИ ҚАЙТА ИШЛАШДА КОҲОНЕН ХАРИТАСИНИ ҚЎЛЛАШ ВА
УНИ САМАРАДОРЛИГИНИ БАҲОЛАШ
Ниёзматова Нилуфар Алохановна
“TIQXMMI” Milliy tadqiqot universiteti dotsenti
Жалелов Куаныш Моятдинович
“TIQXMMI” Milliy tadqiqot universiteti
ассистенти
Абдуллаева Барно Мўйдинжон қизи
Наманган давлат университети таянч докторанти
Аннотация:
Мазкур тадқиқотда нутқ сигналини шовқинлардан тозалаш учун
Коҳонен харитасига асосланган янги ёндашув таклиф этилган. Бунда нутқни частота ва
энергия хусусиятлари асосида ва Коҳонен харитаси ёрдамида шовқинли кластерлар
аниқланган ҳамда шовқин даражасини тахмин қилиш учун “Minimum Statistics Noise
Estimation” усулидан фойдаланилган. Бу юқори шовқин даражаларида ҳам барқарор
натижалар олишга имкон берган. Хусусият сифатида паст шовқин даражаларида MFCC,
юқори шовқин даражаларида эса Log-Mel спектрограммасидан фойдаланилган.
Тажрибалар турли шовқин даражаларида (1%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25% оқ шовқин)
